混成式三维神经元探针阵列的制备方法专利登记公告

专利名称：混成式三维神经元探针阵列的制备方法

摘要：本发明公开了一种混成式三维神经元探针阵列的制备方法，属于微机电系统技术领域。该三维神经元探针阵列在制备的过程中，在硅衬底与信号读出电路衬底之间倒焊互连后，通过在硅衬底的正面上切割形成多行多列的V形沟槽、以在所述硅衬底的正面形成锥形台阵列；将硅衬底铣切以形成分离的用于形成探针阵列的硅柱阵列，锥形台的锥角或部分锥角保留在所述硅柱之上用于形成探针的针尖。因此，该混成式三维神经元探针阵列的制备成品率高，并且制备工艺相对简单，适合大规模制备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210142982.9

专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所

专利发明（设计）人：程正喜;庄佚溦;张学敏;翟厚明;施永明;马斌

主权项：一种混成式三维神经元探针阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：提供用于制备探针阵列的硅衬底，在所述硅衬底的正面上构图形成第一切割标记和第二切割标记；在所述硅衬底的背面上构图制备用于将探针阵列的探针的信号引出的第一焊点；在所述硅衬底的背面上切割形成隔离槽，所述隔离槽使所述硅衬底背面上形成有用于相应形成探针的针底座的硅岛阵列；提供信号读出电路衬底，并在所述信号读出电路衬底上制备第二焊点；通过所述第一焊点和第二焊点之间的对应焊接连接实现所述硅衬底与所述信号读出电路衬底之间倒焊互连；依据所述第二切割标记，在所述

专利地区：上海