一种Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法

摘要：本发明属于半导体与器件领域，具体涉及一种Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法。本发明方法是首先制备Ru-Li共掺杂镍溶胶，然后将Ru-Li共掺杂氧化镍溶胶在基片上进行旋转涂膜，最后在300-600℃条件下在空气中对薄膜热处理1-2h，得到Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜。本发明制备的Ru-Li共掺杂NiO薄膜具有良好的可重复电阻开关特性，连续扫描9次均观察到开关现象；本发明仅通过掺杂制备的NiO薄膜与本征NiO薄膜相比开关比有所提高，改善了电阻存储器件的信噪比。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143328.X

专利申请（专利权）人：东北大学

专利发明（设计）人：李建昌;侯雪艳;王玉磊

主权项：一种Ru?Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：（1）称取1.24?1.25gNi(CH3COO)2·4H2O，溶于25mL乙二醇甲醚中，加入与Ni(CH3COO)2·4H2O等摩尔的乙醇胺，在60?70?℃的水浴条件下搅拌30?40?min后，加入质量比为3：（1?5）的RuCl3·3H2O和CH3COOLi继续搅拌90?100?min，得到Ru?Li共掺杂的氧化镍溶胶，将其在空气中静置陈化24?48h；（2）将基片依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波清洗10?15min，再用无

专利地区：辽宁