EEPROM存储单元以及EEPROM存储器专利登记公告
专利名称：EEPROM存储单元以及EEPROM存储器
摘要：本发明提供了一种EEPROM存储单元以及EEPROM存储器。根据本发明的EEPROM存储单元包括：主存储器件、次存储器件、以及字线控制器件；其中主存储器件的源极连接至EEPROM存储单元的主位线、主存储器件的漏极连接至字线控制器件的源极，字线控制器件的漏极连接至次存储器件的源极，次存储器件的漏极连接至EEPROM存储单元的次位线。主存储器件的栅极作为主控制栅极，次存储器件的栅极作为次控制栅极，字线控制器件的栅极连接EEPROM存储单元的字线。只使用次存储器件和主存储器件中的一个，并且次存储器件和主存储器件
专利类型：发明专利
专利号：CN201210143432.9
专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司
专利发明（设计）人：杨光军
主权项：一种EEPROM存储单元，其特征在于包括：主存储器件、次存储器件、以及字线控制器件；其中主存储器件的源极连接至EEPROM存储单元的主位线、主存储器件的漏极连接至字线控制器件的源极，字线控制器件的漏极连接至次存储器件的源极，次存储器件的漏极连接至EEPROM存储单元的次位线。
专利地区：上海
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