读出放大器电路以及非易失性存储装置专利登记公告

专利名称：读出放大器电路以及非易失性存储装置

摘要：本发明提供了一种读出放大器电路以及非易失性存储装置。在读出放大器电路中，第一P型MOS晶体管的源极、第二P型MOS晶体管的源极以及第三P型MOS晶体管的源极均连接至电源电压；第一P型MOS晶体管的栅极、第二P型MOS晶体管的栅极以及第三P型MOS晶体管的栅极彼此连接，并连接至偏置电流源；第一P型MOS晶体管的漏极连接至偏置电流源；第二P型MOS晶体管的漏极与第一N型MOS晶体管的漏极、第一N型MOS晶体管的栅极以及第二N型MOS晶体管的栅极相连；第三P型MOS晶体管的漏极连接至第二N型MOS晶体管的漏极，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143438.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：肖军;徐翌;张圣波

主权项：一种读出放大器电路，其特征在于包括：第一P型MOS晶体管、第二P型MOS晶体管、第三P型MOS晶体管、第一N型MOS晶体管、第二N型MOS晶体管、基准电阻器、以及偏置电流源；其中，所述第一P型MOS晶体管的源极、所述第二P型MOS晶体管的源极以及所述第三P型MOS晶体管的源极均连接至电源电压；所述第一P型MOS晶体管的栅极、所述第二P型MOS晶体管的栅极以及所述第三P型MOS晶体管的栅极彼此连接，并连接至偏置电流源；所述第一P型MOS晶体管的漏极连接至所述偏置电流源；所述第二P型MOS晶体管的漏极与所述第

专利地区：上海