无死区H桥级联型多电平逆变器及控制方法专利登记公告

专利名称：无死区H桥级联型多电平逆变器及控制方法

摘要：本发明涉及高压变频器技术，旨在提供一种无死区H桥级联型多电平逆变器及控制方法。该逆变器由n个单元级联而成；对于单元i两个直流母线之间跨接直流电源或电容，母线之间并联半桥Bi1和半桥Bi2；第一级单元的半桥B11中两个开关的连接点引出逆变器的端点A，最后一级单元的半桥Bn2中两个开关的连接点引出逆变器的端点B；第j级单元的半桥Bj1中两个开关的连接点与第（j-1）级单元的半桥B(j-1)2中两个开关的连接点相连。本发明使得各级联单元中各桥臂每半个周期只在输出电流换向时提供一个死区时间，加入死区的频率是参考正

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143948.3

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：宋春伟;赵荣祥;朱明磊

主权项：一种无死区H桥级联型多电平逆变器，包括直流母线及用于组成半桥的含反并联续流二极管的全控型电力电子开关，其特征在于，该逆变器由n个单元级联而成；对于单元i（i=1,2…n），直流母线Pi与Qi之间跨接电压值为E的直流电源或电容，母线Pi、?Qi之间并联半桥Bi1和半桥Bi2；半桥Bi1由全控型电力电子开关Si1、Si2串联而成，开关Si1反并联二极管Di1，开关Si2反并联二极管Di2；半桥Bi2由全控型电力电子开关Si3、Si4串联而成，开关Si3反并联二极管Di3，开关Si4反并联二极管Di4；第一级单

专利地区：浙江