硅电容压力传感器专利登记公告

专利名称：硅电容压力传感器

摘要：一种硅电容压力传感器，它包括有硅片层和玻璃层，其技术要点是：在岛膜结构的硅中心可动极板上下两侧分别连接有一硅固定极板，所述的硅固定极板包括采用真空静电封接的硅片层和玻璃层，该玻璃层的厚度为50-200微米；所述硅固定极板的中部设有中心引压孔，在中心引压孔内及靠近中心引压孔的硅固定极板的外表面设置有铝膜层。本发明针对现有硅电容传感器的核心部件，提出了一种新的设计实现方案。即使用静电封接工艺通过薄层玻璃把硅极板连接起来，不需要高温键合炉、超净环境，工艺条件简单，与现有的工艺直接相容，特别是可以调整玻璃薄层的厚

专利类型：发明专利

专利号：CN201210144742.2

专利申请（专利权）人：沈阳仪表科学研究院

专利发明（设计）人：张治国;李颖;张娜;周磊;刘剑

主权项：一种硅电容压力传感器，它包括有硅片层和玻璃层，其特征是：在岛膜结构的硅中心可动极板上下两侧分别连接有一硅固定极板，所述的硅固定极板包括采用静电封接的硅片层和玻璃层，该玻璃层的厚度为50?200微米；所述硅固定极板的中部设有中心引压孔，在中心引压孔内及靠近中心引压孔的硅固定极板的外表面设置有铝膜层。

专利地区：辽宁