一种新型聚碳硅烷及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种新型聚碳硅烷及其制备方法

摘要：本发明涉及一种新型聚碳硅烷及其制备方法，采用格式试剂偶联方法制备聚碳硅烷陶瓷前驱体，分子结构中同时含有Si-H键和C≡C等不饱和基团，在一定的温度下可自身交联固化，固化失重低，工艺性好，通过调节反应物氯硅烷单体的官能度、投料比，以及优化反应条件，可有效调节前驱体中Si/C比及前驱体产物的工艺性能，得到的产物具有优异的耐热性，陶瓷产率高，陶瓷中自由碳含量低，SiC陶瓷相纯度高，适于作为高性能SiC陶瓷前驱体，可用于超高温陶瓷基复合材料浸渍基体，亦可用于SiC陶瓷涂层、纤维等高性能材料的制备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210146206.6

专利申请（专利权）人：航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院

专利发明（设计）人：胡继东;陶孟;冯志海;周延春;刘宏瑞;李军平

主权项：一种新型聚碳硅烷，其特征在于具有如下结构：其中：X：炔基、炔丙基或烯丙基；n、m均为正整数，且n≥1，m≥1。FSA00000716289500011.tif

专利地区：北京