一种像素结构制造方法专利登记公告

专利名称：一种像素结构制造方法

摘要：本发明是有关于一种像素结构制造方法，该方法是先提供一基板，形成一具有一主动区及一储存电容区的半导体层于透光基板上，并于半导体层上形成一源极及一漏极，接着于源极、漏极及半导体层上形成一隔离层，再于隔离层上形成一栅极及一电容电极，栅极及电容电极分别设于与主动区及储存电容区的对应处上，并于栅极、电容电极及隔离层上依序形成一介电层及一屏蔽层，如此已形成一薄膜晶体管，接着于屏蔽层形成一开口图案进行刻蚀，进而形成一接触窗，最后形成一导电层于屏蔽层上，使得漏极通过接触窗与导电层电性连接，如此经上述步骤形成一像素结构，本

专利类型：发明专利

专利号：CN201210146302.0

专利申请（专利权）人：友达光电股份有限公司

专利发明（设计）人：颜士益;郑逸圣

主权项：一种像素结构制造方法，其特征是，该像素结构制造方法包含：提供一基板；形成一半导体层于该基板上，其中形成所述的半导体层的步骤包含：沉积一半导体薄膜于所述的基板上；形成一第一光刻胶屏蔽于该半导体薄膜上；利用一第一掩膜对该第一光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第一光刻胶屏蔽；通过该已图案化的第一光刻胶屏蔽对所述的半导体薄膜进行一第一离子注入以形成一储存电容区，该储存电容区为一重离子掺杂区；及移除所述的已图案化的第一光刻胶屏蔽，形成所述的半导体层；形成一源极及一漏极于该半导体层上方并与其直接接触，形成所述

专利地区：台湾