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一种多晶硅片晶向测试方法专利登记公告


专利名称:一种多晶硅片晶向测试方法

摘要:公开了一种多晶硅片晶向测试方法。根据本发明的方法包括:获得硅片的光致发光成像图像;对所述光致发光成像图像进行处理,获得晶粒的成像亮度信息;基于晶粒的亮度信息判断晶粒的晶向。其中,基于以下标准进行判断:各晶向区域中,最亮的区域为<100>晶向,最暗的区域为<111>晶向,其他晶向介于二者之间。

专利类型:发明专利

专利号:CN201210147178.X

专利申请(专利权)人:常州天合光能有限公司

专利发明(设计)人:付少永;熊震;刘振淮

主权项:一种硅片晶向测试方法,包括:a)获得硅片的光致发光成像图像;b)对所述光致发光成像图像进行处理,获得晶粒的成像亮度信息;c)基于晶粒的亮度信息判断晶粒的晶向。

专利地区:江苏