一种Si-C-N陶瓷先驱体的制备方法专利登记公告

专利名称：一种Si-C-N陶瓷先驱体的制备方法

摘要：本发明公开了一种Si-C-N陶瓷先驱体的制备方法。将含硅的氯硅烷溶解在与水不互溶的有机溶剂中，经含-NH-的化合物的碱水溶液氨解，油相与水相分离，在有机溶剂的沸点温度旋转蒸发油相，得到液态聚硅氮烷；将液态聚硅氮烷置于三口烧瓶中，在N2、Ar或真空气氛保护下,于50~250℃持续固化反应12~72h，所得固态产物即为Si-C-N陶瓷先驱体。本发明采用界面聚合，避免了副产物对聚硅氮烷提纯与产率的影响，简化反应工序、缩短了反应时间；反应过程易于控制，合成产率高达90%，产物纯度高，热解产物具有优异的耐高温性能和

专利类型：发明专利

专利号：CN201210147324.9

专利申请（专利权）人：浙江理工大学

专利发明（设计）人：姚菊明;王元前;刘琳;陈建军

主权项：一种Si?C?N陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将含硅的氯硅烷溶解在与水不互溶的有机溶剂中，经含?NH?的化合物的碱水溶液氨解，油相与水相分离，在有机溶剂的沸点温度旋转蒸发油相，得到液态聚硅氮烷；(2)将液态聚硅氮烷置于三口烧瓶中，在N2、Ar或真空气氛保护下，于50~250℃持续固化反应12~72h，所得固态产物即为Si?C?N陶瓷先驱体。

专利地区：浙江