一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺专利登记公告

专利名称：一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺

摘要：本发明公开了一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，包括如下步骤：（1）将钛的前驱体一起溶于溶剂A中得到溶液B；（2）将溶液B在40°C下陈化2d；（3）将陈化后得到的产物通过超临界萃取技术处理，得到{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片。本发明的优点是：1、制备过程简便、反应条件可控性强、合成时间短且合成过程中不需要引入其它复合半导体或掺杂有可见光响应的元素，反应后无需再处理。2、所制得的催化剂具有很好的结晶度，且具有明显的单晶衍射。在环境治理、光解水产氢、染料敏化

专利类型：发明专利

专利号：CN201210147521.0

专利申请（专利权）人：上海师范大学

专利发明（设计）人：李贵生;张鹏;张蝶青;李和兴

主权项：一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：包括如下步骤：（1）将钛的前驱体一起溶于溶剂A中得到溶液B；（2）将溶液B在40°C下陈化2d；（3）将陈化后得到的产物通过超临界萃取技术处理，得到{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片。

专利地区：上海