宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法

摘要：一种薄膜太阳电池用宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜工艺过程的有效调控，实现宽光谱陷光ZnO薄膜的制备。首先在衬底上沉积ZnO薄膜，经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有对长波光起陷光作用的大“弹坑状”的陷光绒面层；随后在其上再次生长ZnO薄膜，再经过湿法腐蚀工艺处理后得到对短波光起陷光作用的兼有小“弹坑状”的陷光绒面层，最后形成具有宽光谱陷光的氧化锌透明导电薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应

专利类型：发明专利

专利号：CN201210148419.2

专利申请（专利权）人：南开大学

专利发明（设计）人：张晓丹;王延峰;赵颖;黄茜;魏长春

主权项：一种薄膜太阳电池用宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜，其特征在于该导电薄膜依次包括：衬底层、对入射的长波长光起陷光作用的大“弹坑状”的陷光绒面层简称长波长陷光绒面层，以及对入射的短波长光起陷光作用的小“弹坑状”的陷光绒面层简称短波长陷光绒面层；长波长陷光绒面层：是在衬底层上一次沉积和一次湿法腐蚀处理后得到的具有大“弹坑状”的陷光ZnO薄膜，所述的大“弹坑状”为微米级尺寸；短波长陷光绒面层：是在大“弹坑状”的散射层上二次沉积和二次湿法腐蚀处理后得到的小“弹坑状”的陷光ZnO薄膜，所述的小“弹坑状”为纳米级尺寸。

专利地区：天津