一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法专利登记公告

专利名称：一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法

摘要：一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法，它是以金属辅助化学腐蚀法制备出的多孔硅纳米线阵列(PSNWA)为衬底材料，利用浸渍还原法将金属盐溶液中的金属离子还原成单质，并以纳米颗粒的形式在PSNWA表面均匀沉积后得到表面增强拉曼散射活性基底，通过浸润或滴定的方法将待检测物质引入活性基底表面，即可进行拉曼光谱检测。该方法成本低廉、工艺简单、操作简便，SERS信号灵敏度高、重复性好，同时SERS光谱有很高的稳定性和重现性。本发明提供快速、高灵敏度、高可靠性的分子检测及痕量分析方法，需用样品量极少，适合各

专利类型：发明专利

专利号：CN201210148889.9

专利申请（专利权）人：北京化工大学

专利发明（设计）人：许海军;苏雷;廛宇飞;张常兴;孙晓明

主权项：一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)?将电阻率为0.001?50?Ω?cm的n或p型的单晶硅片置于反应釜，填充由质量分数1~40%的HF、0.001~1mol/L的AgNO3以及质量分数0.1%~10%的H2O2组成的腐蚀液，反应釜的溶液体积填充度为40~90%，在温度10~100℃下腐蚀1分钟~2小时，经过上述金属辅助化学腐蚀法处理后即可制备出基底所需的衬底材料多孔硅纳米线阵列；(2)?将多孔硅纳米线阵列置于0.0001~1mol/L的贵金属盐溶液或质量分数

专利地区：北京