一种中空碳酸根型羟基磷灰石的制备方法专利登记公告

专利名称：一种中空碳酸根型羟基磷灰石的制备方法

摘要：本发明公开了一种中空碳酸根型羟基磷灰石的制备方法，首先以碳酸钙作为牺牲模板，置于水溶性磷酸盐溶液中，采用水热法在碳酸钙表面原位沉积一层碳酸根型羟基磷灰石，然后将核壳结构的碳酸钙/碳酸根型羟基磷灰石（以碳酸钙为核，碳酸根型羟基磷灰石为壳）置于弱酸性溶液中，通过化学腐蚀去除碳酸钙，所得到中空碳酸根型羟基磷灰石具有优良的药物负载和缓释性能、生物相容性和生物活性，是一种新型生物陶瓷材料，在药物载体和骨修复材料等生物医药领域具有广阔的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210149422.6

专利申请（专利权）人：上海师范大学

专利发明（设计）人：郭亚平;郭亚军;王莹莹;褚联峰

主权项：一种制备中空碳酸根型羟基磷灰石的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将碳酸钙置于可溶性磷酸盐溶液中，在100～300℃下水热反应0.1～20小时，取沉淀洗涤干燥，得到具有核壳结构的碳酸钙/碳酸根型羟基磷灰石，其中碳酸钙为核，碳酸根型羟基磷灰石为壳；碳酸钙与可溶性磷酸盐溶液的用量比为0.0001～500g/L；（2）将核壳结构的碳酸钙/碳酸根型羟基磷灰石置于过量的pH值为3.0～7.0的弱酸性溶液中，在0～100℃下静置10～100h，取沉淀洗涤干燥，得到中空碳酸根型羟基磷灰石；碳酸钙/碳酸根型羟基磷灰石

专利地区：上海