一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备专利登记公告

专利名称：一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备

摘要：一种低介电损耗储能介质陶瓷材料及其制备。该陶瓷材料体系的组成为xMgO-(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%。制备方法为(1)制备SrTiO3陶瓷粉体；(2)按MgO粉体的质量占陶瓷粉体总质量的0~20.0wt%加入到陶瓷粉体中配料。然后用氧化锆球和无水乙醇作为介质球磨22~24小时；将球磨后的陶瓷粉体烘干后加入该烘干粉体质量为1.0wt%~3.5wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料在升温速率1.5~3℃/min，1350~1450℃下保温2小时得到储

专利类型：发明专利

专利号：CN201210150158.8

专利申请（专利权）人：武汉理工大学

专利发明（设计）人：刘韩星;雒文博;郝华;余志勇;尧中华;曹明贺;郭丽玲

主权项：?一种低介电损耗储能介质陶瓷材料，其特征在于：陶瓷材料体系的组成为x?MgO??(1?x)SrTiO3，x=0~20.0wt%，该储能陶瓷在0~120kv/cm电场范围内介电常数变化率小于4.5%，在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%，在1kHz频率测试介电常数随x在160174.30kV/cm，储能密度γ>0.36J/cm3。44

专利地区：湖北