高比电容聚吡咯碳纳米管复合物的制备方法专利登记公告

专利名称：高比电容聚吡咯碳纳米管复合物的制备方法

摘要：本发明涉及一种反蛋白石聚吡咯碳纳米管复合物膜超级电容器电极材料的制备。该体系以碳纳米管和聚吡咯的复合物为主体，结合其它模版修饰其结构而成。本发明通过一步法得到含模板的碳纳米管聚吡咯复合物电极，该电极主要应用于超级电容器，其电学性质优良，比电容可达423F/g。与现有技术相比，本发明能够既环保又快捷的制备出高质量的复合物膜，且反应条件温和，成本低，膜厚可以通过改变沉积电位来控制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210150444.4

专利申请（专利权）人：上海大学

专利发明（设计）人：施利毅;颜蔚;董琪琪;王响;邓唯;孙丽宁

主权项：高比电容聚吡咯碳纳米管复合物的制备方法，其特征是该方法具有以下工艺过程：用覆盖蛋白石模板的金片作为工作电极来组成三电极体系，参比电极和对电极分别为饱和甘汞电极和铂丝电极，电解液为包含质量百分比为0.3%的多壁碳纳米管和0.1M吡咯单体的二次去离子水溶液，并以氮气为保护气在?0.5V～0.7V电势范围进行循环伏安电势扫描；最后通过HF去除硅球，得到了反蛋白石聚吡咯碳纳米管复合物膜。

专利地区：上海