一种基于PD SOI工艺的体栅耦合ESD保护结构专利登记公告

专利名称：一种基于PD SOI工艺的体栅耦合ESD保护结构

摘要：本发明公开了一种基于PD?SOI工艺的体栅耦合NMOS?ESD保护结构，在该结构中栅极采用H型结构，在H型栅的边栅外侧和内侧进行两处体区P+注入，漏区采用N+深注入，将SOI基片上的硅膜穿通，源区采用N+浅注入，对SOI基片上的硅膜进行部分注入，以便在源区外侧进行体区P+注入并将体区接触引出，部分漏区利用SAB层对硅化物进行阻挡，形成镇流电阻。使用时，将漏区连接到PAD，H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，源区和H型栅内侧的体区连接到地。本发明通过将H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，能够充分利用漏体

专利类型：发明专利

专利号：CN201210150748.0

专利申请（专利权）人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所

专利发明（设计）人：王忠芳;谢成明;李海松;赵德益;吴龙胜;刘佑宝

主权项：一种基于PD?SOI工艺的体栅耦合NMOS?ESD保护结构，其特征在于：栅极采用H型结构，漏区采用N+深注入即将整个硅膜穿通，源区采用N+浅注入即将硅膜部分穿通，在H型栅内外侧进行两处P+体注入，漏区采用SAB层对硅化物进行阻挡，以形成漏区镇流电阻。

专利地区：陕西