一种超高压BCD半导体工艺以及超高压BCD器件专利登记公告

专利名称：一种超高压BCD半导体工艺以及超高压BCD器件

摘要：本发明提供了一种超高压BCD工艺，该超高压BCD工艺可实现多种半导体器件的集成，超高压BCD器件包括：做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS，该工艺具有N型埋层，N型埋层贯穿P型衬底以及N型外延，高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构。本发明提供的高压BCD工艺集成了多种电压水平的器件，并且其中的高压浮动盆结构，能够为桥式电路的应用提供工艺平台支持。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210150791.7

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：吕宇强;邵凯;陈雪萌;杨海波

主权项：一种超高压BCD半导体工艺实现的集成器件，其特征在于，器件包括：做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS，所述集成器件具有N型埋层，所述N型埋层贯穿P型衬底以及所述N型外延，高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构；所述高压浮动盆结构包括多个P?top环，位于N阱内的高压N+以及N型埋层，所述多个P?top环和所述高压N+均位于N型外延内，所述高压浮动盆结构以其中心左右对

专利地区：上海