一种基于嵌入式电极侧向场激励的FBAR及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种基于嵌入式电极侧向场激励的FBAR及其制作方法

摘要：本发明公开了一种基于嵌入式电极侧向场激励的FBAR，包括由衬底和铺设于衬底底部的掩膜层构成的衬底层，衬底顶部铺设有支撑膜层，衬底层开有通孔，支撑膜层上铺设有压电薄膜层，压电薄膜层上嵌有至少一对金属电极；同时本发明还公开了该FBAR的制作方法。本发明的FBAR技术可以实现寄生模式频谱的搬移，使器件获得较高的品质因数以及纯剪切波模式谐振，在具体应用时具有传感灵敏度高、分辨率高、在液相环境中能保持较高Q值，尤其适合于生物传感领域应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210150828.6

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：金浩;朱琦;周剑;冯斌;王德苗

主权项：一种基于嵌入式电极侧向场激励的FBAR，其特征在于：包括由衬底和铺设于衬底底部的掩膜层构成的衬底层，所述的衬底顶部铺设有支撑膜层，所述的衬底层开有通孔，所述的支撑膜层上铺设有压电薄膜层，所述的压电薄膜层上对应通孔的区域内嵌有至少一对金属电极。

专利地区：浙江