基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法专利登记公告

专利名称：基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法

摘要：本发明公开了一种基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中的电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后的SiC样片上选取注入区，并注入Si离子；然后将SiC样片置于外延炉中，加热至1200-1300℃，保持恒温时间为30-90min,使注入区的SiC热解生成碳膜；再将生成的碳膜样片置于Cu膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1200℃下退火10-20min，使碳膜重构

专利类型：发明专利

专利号：CN201210151563.1

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;张克基;张玉明;赵艳黎;张凤祁;雷天民

主权项：一种基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，包括以下步骤：（1）对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；（2）在清洗后的SiC样片上的指定区域，注入能量为15?30keV，剂量为5×1014~5×1017cm?2的Si离子；（3）将注入Si离子后的SiC样片放入外延炉中，外延炉中压强为0.5~1×10?6Torr，并向其中通入Ar气，再加热至1200?1300℃，恒温时间为30?90min，使指定区域的SiC热解生成碳膜；（4）将生成的碳膜样片置于Cu膜上，再将它们一同置于流速为30?150m

专利地区：陕西