一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法专利登记公告

专利名称：一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法

摘要：本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域，具体地说是一种原位反应制备镥硅氧（Lu2SiO5）粉体陶瓷材料的方法。其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料，原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料，原料粉的摩尔比为Lu2O3:SiO2=1：（0.8~1.2）。本发明可以在较低温度下，较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧（Lu2SiO5）粉体陶瓷材料，所制备出的Lu2SiO5粉体陶瓷材料具有高熔点、颗粒细小等特点，是优良的隔热高温陶瓷材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210152312.5

专利申请（专利权）人：中国科学院金属研究所

专利发明（设计）人：王京阳;田志林

主权项：一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料，原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料，原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2=1∶（0.8~1.2）。

专利地区：辽宁