嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法专利登记公告

专利名称：嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

摘要：本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法

专利类型：发明专利

专利号：CN201210153147.5

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;李高庆;吴正立;许平

主权项：一种嵌入式外延外基区双极晶体管，至少包括重掺杂的埋层集电区、埋层集电区上的集电区、集电区内的选择性注入集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，其特征在于：所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。

专利地区：北京