去除单晶硅埚底料中石英的装置及其方法专利登记公告

专利名称：去除单晶硅埚底料中石英的装置及其方法

摘要：本发明公开了一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，包括在保温筒内外壁分别设有加热器及温控显示器；在保温筒的内底面上的底撑上放置有反应釜，反应釜与加热器同心分布；保温筒装有上盖板，反应釜装有反应釜盖板。本发明还公开了一种采用恒温水浴法去除单晶硅埚底料中石英的方法，利用前述的装置，向保温筒内加注自来水，后向已放置好反应釜内装入待去除石英的硅原料，再向反应釜内加入氢氟酸，盖合好反应釜盖板及上盖板，通过温控显示器启动及设置相关工作参数，直至实现反应要求即成。本发明保证了氢氟酸与埚底料在室温下显著加快反应速度、周期缩短

专利类型：发明专利

专利号：CN201210154685.6

专利申请（专利权）人：宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司

专利发明（设计）人：潘永娥;崔巍

主权项：一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：包括保温筒（4），在保温筒（4）内壁设置有加热器（5），在保温筒（4）的外壁设有温控显示器（6），温控显示器（6）与加热器（5）之间通过电控装置连接；在保温筒（4）的内底面上设置有底撑（8），在底撑（8）上放置有反应釜（3），反应釜（3）与加热器（5）同心分布；保温筒（4）安装有上盖板（1），反应釜（3）安装有反应釜盖板（2）。

专利地区：宁夏