低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法专利登记公告

专利名称：低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法

摘要：本发明提供一种低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，所述环形电极结构包括：基底，具有金属层及绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；导电薄膜材料，沉积于浅槽结构的表面，形成环形电极结构；绝热材料，填充于环形电极结构中并与绝缘层的上表面共平面；相变材料，覆盖于绝缘层的上表面及绝热材料上。本发明提供的低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以

专利类型：发明专利

专利号：CN201210154750.5

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：饶峰;任堃;宋志棠

主权项：一种低功耗相变存储器用环形电极结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一具有金属层及覆盖于所述金属层上的绝缘层的基底；2）利用光刻刻蚀工艺刻蚀所述绝缘层直至所述金属层，在所述基底上形成一底面为所述金属层的凹槽；3）利用化学气相沉积工艺于所述基底上沉积钨材料，并使所述钨材料填充于所述凹槽内并覆盖于所述绝缘层的上表面；4）利用抛光工艺将覆盖于所述绝缘层的上表面的钨材料抛除；5）利用光刻刻蚀工艺刻蚀填充于所述凹槽内的钨材料，直至填充于所述凹槽内的钨材料的厚度小于所述凹槽的深度并达到一预

专利地区：上海