基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法专利登记公告

专利名称：基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法

摘要：本发明公开了一种基于SOC电表方案的MCU内置基准温度补偿方法。该方法首先测量得到内置基准及误差与温度的关系数据，再通过计算得到内置基准校正所需的微调因子与温度的对应关系，并将相关数据点存储起来，建立补偿数据表格以供查表使用；然后通过使用MCU微控制器的片上温度传感器定时读取片上温度，并采用查表和插值相结合的方法计算该温度下的内置基准微调因子；最后使用计算得到的微调因子设置内置基准数字调节寄存器的值，以补偿由于温度变化造成的内置基准的波动。本发明克服了温度效应对基准电压、A/D转换结果及电能测量精度的影响

专利类型：发明专利

专利号：CN201210155429.9

专利申请（专利权）人：威胜集团有限公司

专利发明（设计）人：汪龙峰;任智仁;贾俊;周宣;韩潇俊;黄杰

主权项：一种基于SOC芯片电表的MCU内置基准温度补偿方法，包括以下步骤：（1）.建立温度补偿数据表：a.将电表置于温度点T的环境中工作；b.测量并记录MCU内置基准的输出电压值，记为u(T)；c.计算MCU内置基准电压误差e(T)，适用公式为：e(T)=u(T)?u0，式中u0为MCU内置基准在室温时的标定输出值，可从MCU技术特性手册中查到；?d.?计算MCU内置基准的电压补偿值，适用公式为：r(T)=r0?e(T)/m，式中，r0为MCU内置基准校准寄存器的电压初始值，e(T)为步骤c计算得到的MCU内置基

专利地区：湖南