高密度B₄C-Al均质中子吸收材料的制备方法专利登记公告

专利名称：高密度B₄C-Al均质中子吸收材料的制备方法

摘要：本发明公开一种高密度B4C-Al均质中子吸收材料的制备方法，该方法是按照预定化学配比将B4C和Al合金粉末混合均匀后，置于具有铝合金框架的铝合金盒子中，真空烧结后，进行热轧，在坯料的密度达到70%-95%TD时，进行换向90°轧制，并去除坯料外层的铝合金包壳，再轧至预定尺寸后，进行退火处理，制成密度达到98%以上中子吸收材料。本发明的制备方法工艺过程简单，对设备的要求不高，制备的B4C-Al中子吸收材料是均质材料，具有密度高，使用性能稳定，可用做乏燃料贮存设施中作为临界安全控制的中子吸收材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210155433.5

专利申请（专利权）人：中国核动力研究设计院

专利发明（设计）人：刘晓珍;刘云明;孙长龙

主权项：一种高密度B4C?Al均质中子吸收材料的制备方法，步骤如下：步骤一?混料：将平均粒度为35~60μm的Al合金粉与平均粒度为10~60μm的B4C粉，按质量百分比为90?35%?：10?65%的比例,?将两料在混料机中混合均匀；步骤二?装料：将混合均匀的粉料，封装到有铝合金框架的铝合金盒子中；?步骤三?真空除气烧结：将封装后的铝合金盒置入真空炉中进行真空除气烧结，使真空炉的真空度保持在10?2~10?3Pa?,?烧结的炉温为350℃~540℃，烧结时间为6~20小时；步骤四?热轧：将烧结后的铝合金盒在35

专利地区：四川