可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器专利登记公告

专利名称：可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器

摘要：本发明公开了一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，包括：一衬底；一n-InP缓冲层；一InGaAsP下限制层；一多量子阱有源层；一InGaAsP上限制层，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；一p-InP层；一p-InGaAsP刻蚀阻止层；一上p-InP盖层；一p-InGaAs欧姆接触层，在该p-InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p-InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段p-InGaAs欧姆接触层上的金属电极层；其中，该p-InGaAs欧姆

专利类型：发明专利

专利号：CN201210155449.6

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：余力强;赵玲娟;朱洪亮;吉晨;陆丹;潘教青;王圩

主权项：一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，包括：一衬底；一n?InP缓冲层，该n?InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层，该InGaAsP下限制层制作在该n?InP缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在该InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层，该InGaAsP上限制层制作在该多量子阱有源层上，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；一p?InP层，该p?InP层制作在该InGaAsP上限制层上；一p?InGaAsP刻蚀阻止层，

专利地区：北京