化合物、聚合物、聚合物半导体材料及有机薄膜晶体管专利登记公告

专利名称：化合物、聚合物、聚合物半导体材料及有机薄膜晶体管

摘要：本发明提供了具有式（I）结构的化合物及具有式（II）结构的聚合物。本发明提供的具有式（II）结构的聚合物的制备方法为在惰性气体保护下，将具有式（I）结构的化合物与聚合单体在催化剂及辅助配体作用下生成聚合物。本发明还提供了一种由所述聚合物构成的聚合物半导体材料及一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管电荷传输层为所述的聚合物半导体材料。本发明中，具有式（II）结构的聚合物具有良好的线性结构，提高了所述聚合物的共轭程度，从而保证了由其构成的聚合物半导体材料具有较好的迁移率。本发明提供的基于含N、S两种杂原子的化

专利类型：发明专利

专利号：CN201210156162.5

专利申请（专利权）人：中国科学院长春应用化学研究所

专利发明（设计）人：耿延候;陈亚刚;邓云峰;田洪坤

主权项：具有式（I）结构的化合物：其中，R1为烷基；R2为H、卤素或三烷基锡。FDA00001657503900011.jpg

专利地区：吉林