非有机包覆的晶相可控Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法专利登记公告
专利名称：非有机包覆的晶相可控Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法
摘要：本发明公开了一种非有机包覆的晶相可控Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法，属光电材料制备领域。该方法包括：前驱物络合：将CuCl、ZnCl2、SnCl4和单质硫加入容器中，向容器中加入醇类溶剂和乙二胺，同时向容器内通入氮气作为保护气，对容器内进行搅拌并加热至一定温度进行络合，络合后得到反应前驱液；溶剂热制备：在搅拌并通入氮气作为保护气条件下，使得到的反应前驱液升温至一定温度反应一段时间，反应后冷却，向冷却后得到的具有流动性的反应液中加入乙醇后离心分离得到非有机包覆的Cu2ZnSnS4纳米晶沉淀物；真空干燥处
专利类型：发明专利
专利号：CN201210156367.3
专利申请（专利权）人：中国科学院合肥物质科学研究院
专利发明（设计）人：季书林;叶长辉;邱晓东
主权项：一种非有机包覆的晶相可控Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：前驱物络合：将金属氯化物盐CuCl、ZnCl2、SnCl4和单质硫加入容器中，向所述容器中加入醇类溶剂和乙二胺，同时向所述容器内通入氮气作为保护气，对所述容器内进行搅拌并加热至一定温度进行络合，络合后得到反应前驱液；溶剂热制备：在搅拌并通入氮气作为保护气条件下，使上述络合后得到的反应前驱液升温至一定温度反应一段时间，反应后冷却，向冷却后得到的具有流动性的反应液中加入乙醇后离心分离得到非有机包覆的Cu2ZnSnS4纳米晶沉淀物；真
专利地区：安徽
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