一种适于锗基器件的界面处理方法专利登记公告

专利名称：一种适于锗基器件的界面处理方法

摘要：本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，为之后在清洗钝化过的锗基衬底表面上淀积high-K（高介电常数）栅介质做好准备，提高栅介质层与衬底之间的界面质量，改善锗基MOS器件的电学性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210156456.8

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：黄如;李敏;安霞;黎明;林猛;张兴

主权项：一种锗基器件的界面处理方法，包括如下步骤：1）对半导体锗基衬底进行清洗；2）在质量百分浓度15%～36%的浓盐酸溶液中浸泡，然后用去离子水反复冲洗干净，去除锗基衬底表面的自然氧化层；3）将锗基衬底在质量百分浓度5%～10%的稀盐酸溶液中浸泡，然后用去离子水反复冲洗干净，完成对锗基器件表面的钝化处理。

专利地区：北京