发光元件、发光设备和电子设备专利登记公告

专利名称：发光元件、发光设备和电子设备

摘要：在包括处在一对电极之间的EL层的发光元件中，形成如下结构，其中该EL层至少包括在用作阳极的电极和具有发光属性的第三层（发光层）之间的具有空穴注入属性的第一层（空穴注入层）和具有空穴输运属性的第二层（空穴输运层）；并且第二层的最高被占用分子轨道能级（HOMO能级）的绝对值大于第一层的最高被占用分子轨道能级（HOMO能级）的绝对值，从而使从用作阳极的电极侧注入的空穴量被抑制，并且因此增加了发光元件的发光效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210156503.9

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：下垣智子;铃木恒德;濑尾哲史

主权项：一种发光元件，包括：阳极和阴极之间的EL层，其中所述EL层包括具有空穴注入属性的第一层、具有空穴输运属性的第二层、具有发光属性的第三层、以及控制电子输运的第四层，其中所述第一层和所述第二层插入在所述阳极和所述第三层之间，其中所述第四层插入在所述阴极和所述第三层之间，其中所述第四层包括具有电子输运属性的第一有机化合物以及具有电子俘获属性的第二有机化合物，并且其中所述第四层中第二有机化合物的浓度为大于或等于0.1wt%且小于或等于5wt%。

专利地区：日本