主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器专利登记公告

专利名称：主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器

摘要：主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、电感L2、二极管D1、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成，所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与电感L1的一端以及直流电压源Vi的正端相连，PNP型BJT管Q2的基极与稳压管Z1的阳极以及电阻R2的一端相连，稳压管Z1的阴极与电感L1的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210157708.9

专利申请（专利权）人：浙江工业大学

专利发明（设计）人：陈怡;陈晋音;王正仕;南余荣

主权项：一种主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、电感L2、二极管D1、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器的主回路，输入电容Ci与直流电压源Vi并联，输出电容Co两端电压为直流输出电压Vo，负载Ro与输出电容Co并联，直流电压源Vi的正端与电感L1的一端相连，电感L1的另一端与NPN型BJT管Q1的集电极以及电容C的一端相连，NPN型BJT管Q1的发射极与直流电压源Vi的负端以及直流输出电压Vo的负端相连，电容C的另一端与二极管D的阳极

专利地区：浙江