基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法专利登记公告

专利名称：基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法

摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀，导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其实现步骤如下：(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度为1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(2)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；(3)将开窗后裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；(

专利类型：发明专利

专利号：CN201210158388.9

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;张晨旭;张玉明;张克基;雷天民;邓鹏飞

主权项：一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，包括以下步骤：（1）对4?12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；（2）将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10?7mbar级别；（3）在H2保护的情况下，使反应室逐步升温至碳化温度1000℃?1200℃，通入流量为30ml/min的C3H8，对衬底进行碳化4?8min，生长一层碳化层；（4）对反应室加温至生长温度1200℃?1350℃，通入C3H8和SiH4，进行3C?SiC薄膜异质外延生长，时间为30?60min，然后在H2保护下逐步降

专利地区：陕西