在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法专利登记公告

专利名称：在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法

摘要：本发明公开了在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术制备的石墨烯层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。本发明采用在Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC薄膜异质外延生长，生长气源为C3H8和SiH4；再在3C-SiC样片表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出结构化图形窗口；然后将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再在Ar气中温度为1000-11

专利类型：发明专利

专利号：CN201210158547.5

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;张晨旭;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民

主权项：一种在3C?SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法，包括以下步骤：（1）对4?12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；（2）将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10?7mbar级别；（3）在H2保护的情况下，使反应室逐步升温至碳化温度950℃?1150℃，通入流量为30ml/min的C3H8，对衬底进行碳化3?7min，生长一层碳化层；（4）对反应室加温，使其迅速升温至生长温度1150℃?1300℃，再通入C3H8和SiH4，进行3C?SiC薄膜异质外延生长36?60min，然后在H2

专利地区：陕西