基于Cl₂反应的结构化石墨烯制备方法专利登记公告

专利名称：基于Cl₂反应的结构化石墨烯制备方法

摘要：本发明公开了一种基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现过程是：（1）在4-12英寸的Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；（2）在温度为1150℃-1300℃下利用气源C3H8和SiH4生长3C-SiC薄膜；（3）在3C-SiC薄膜表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；（4）将开窗后裸露的3C-SiC在700-1050℃下与Cl2反应，生成碳膜；（5）将生成的碳膜置于Ar气

专利类型：发明专利

专利号：CN201210158553.0

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民

主权项：一种基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法，包括以下步骤：（1）对4?12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；（2）将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10?7mbar级别；（3）在H2保护的情况下，使反应室逐步升温至碳化温度950℃?1150℃，通入流量为30sccm的C3H8，对衬底进行碳化3?7min，生长一层碳化层；（4）对反应室加温直到达到1150℃?1300℃的生长温度后，再通入C3H8和SiH4，进行3C?SiC薄膜异质外延生长，生长时间为36?60min，然后在H2保

专利地区：陕西