一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统专利登记公告

专利名称：一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统

摘要：一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统，包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块，其特征是：可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元，可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号，可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入，可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端，二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可

专利类型：发明专利

专利号：CN201210158560.0

专利申请（专利权）人：安徽大学

专利发明（设计）人：柏娜;吴秀龙;谭守标;李正平;孟坚;陈军宁;徐超;洪琪;周燕

主权项：一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统，包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块，SRAM模块包括：由6个晶体管组成的SRAM存储阵列、由多路选择器、灵敏放大器和输入、输出缓冲器组成的数据链路的模块、由一级译码器和二级译码及字线驱动电路组成的字线译码路径以及由时序控制电路、灵敏放大器时序控制电路、多路选择器时序控制电路组成的内部时序控制电路；一级译码器的输出连接二级译码及字线驱动电路的输入，二级译码器的输出连接SRAM存储阵列的输入，SRAM存储阵列的输出连接多路选择器

专利地区：安徽