一种{001}面暴露二氧化钛纳米晶的制备方法专利登记公告

专利名称：一种{001}面暴露二氧化钛纳米晶的制备方法

摘要：一种{001}面暴露二氧化钛纳米晶的制备方法，它涉及一种纳米晶的制备方法。本发明解决了现有方法制备的{001}面暴露二氧化钛纳米晶颗粒尺寸大、比表面积小的技术问题。本方法如下：一、制备质子化水合钛酸；二、将质子化水合钛酸用醇洗涤，然后转移到聚四氟乙烯水热釜中，加入醇和氢氟酸水溶液，保温，离心分离出沉淀，水洗、醇洗、干燥、研磨，即得{001}面暴露二氧化钛纳米晶。采用本方法得到的二氧化钛产品为纯锐钛矿相，{001}面暴露率为26％～66％，比表面积最高为155m2g-1，晶体平均粒径最小为11nm。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210159220.X

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：王靖宇;谷留安;韩喜江

主权项：一种{001}面暴露二氧化钛纳米晶的制备方法，其特征在于一种{001}面暴露二氧化钛纳米晶的制备方法，具体步骤如下：一、将钛盐加入到乙醇或异丙醇中，配制成50mL～100mL浓度为0.1mol/L～0.5mol/L的醇溶液；二、在搅拌条件下将步骤一制备的醇溶液滴入到60mL～120mL去离子水中，然后在水浴温度为60℃～90℃的条件下，以300～1000转/分钟的搅拌速度搅拌30分钟～100分钟，加入0.5mol/L～5.0mol/L的碱溶液50mL～300mL，密封，然后在60℃～90℃继续搅拌4小时～

专利地区：黑龙江