一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法专利登记公告

专利名称：一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法

摘要：本发明公开了一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法，首先将GaAs衬底用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用氢溴酸溶液浸泡GaAs衬底，除去表面的氧化层；接着放入加热到50℃的(NH4)2S溶液中浸泡20－30分钟进行钝化；最后将钝化后的GaAs衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。本发明采用绿色环保的氢溴酸溶液清洗去除GaAs衬底表面氧化物，再用硫化铵溶液钝化衬底表面，有效地提高表面平整性，极大改善栅介质薄膜与GaAs衬底间的界面质量，明显改善了GaAs基MOS器件的电学性能。此方法工艺简单，在GaAs基

专利类型：发明专利

专利号：CN201210159230.3

专利申请（专利权）人：南京大学

专利发明（设计）人：付盈盈;李爱东;曹燕强;李学飞;吴迪

主权项：一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法，其特征在于包括以下步骤：首先将GaAs衬底用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用氢溴酸溶液浸泡GaAs衬底，除去表面的氧化层；接着放入加热到50℃的(NH4)2S溶液中浸泡20－30分钟进行钝化；最后将钝化后的GaAs衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。

专利地区：江苏