自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法专利登记公告

专利名称：自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

摘要：本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161177.0

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘

主权项：一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，所述晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、Si集电区和局部介质区上方的基区低电阻金属硅化物层、单晶锗硅外延基区和多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层上方的重掺杂多晶硅抬升外基区、单晶锗硅外延基区上方的重掺杂多晶硅发射区和发射区?基区隔离介质区、发射区?基区隔离介质区围成的发射区窗口下的重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极；其中，所述发射区?基区隔离介质区由衬垫氧化硅层和氮化硅侧墙构成，其特征在于：所述基区低电阻金属硅化物层一直延伸至发射区

专利地区：北京