一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片制取方法专利登记公告

专利名称：一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片制取方法

摘要：本发明涉及一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制取方法。包括以下步骤：⑴用切断机沿硅单晶体的头尾横截面分别切割硅单晶测试样片，⑵用抛光设备对硅片表面进行机械打磨抛光，除去硅片表面因切割产生的刀痕以及表面机械应力损伤层，⑶样片置于酸液中腐蚀，除去深度损伤层，消除硅片表面的杂质污染，⑷将测试样片投放纯水中浸泡，捞出吹干。经本发明制取的样片可真实表达单晶硅棒的性能参数，提高单晶硅棒的利用率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161745.7

专利申请（专利权）人：陕西西京电子科技有限公司

专利发明（设计）人：张素敏;郭樱花;刘秦;吴凯;曹博

主权项：一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制备方法，其特征是包括以下步骤：（1）在单晶硅棒的头尾部分别切割出厚度不大于5mm的硅片；（2）用抛光设备对硅片表面进行机械打磨抛光直至无明显刀痕；（3）投放于硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡至少5分钟；（4）待有大量黄烟产生时，夹取硅片，用纯水浸泡1～3分钟；（5）将硅片的正反两面用无水乙醇冲洗，然后吹干，吹干后应看不到水渍。

专利地区：陕西