基于Ni膜退火的SiC与Cl₂反应制备结构化石墨烯的方法专利登记公告

专利名称：基于Ni膜退火的SiC与Cl₂反应制备结构化石墨烯的方法

摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后的SiC样片表面淀积一层SiO2，并刻出图形窗口；将开窗后的样片置于石英管中，在700-1100℃下生成碳膜；再将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口之外的SiO2；然后在另一Si样片上电子束沉积一层Ni膜；将去除SiO2后的碳膜样片置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火

专利类型：发明专利

专利号：CN201210162383.3

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民;张凤祁

主权项：一种基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法，包括以下步骤：（1）对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；（2）在清洗后的SiC样片表面利用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法，淀积一层0.4?1.2μm厚的SiO2，作为掩膜；（3）在掩膜表面涂一层光刻胶，再在掩膜上刻出与所需制作器件的衬底形状相同的窗口，露出SiC，形成结构化图形；（4）将开窗后的样片置于石英管中，加热至700?1100℃；（5）向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体，持续3?8min，使Cl2与裸露的SiC产生反应

专利地区：陕西