基于Ni膜退火和Cl₂反应的结构化石墨烯制备方法专利登记公告

专利名称：基于Ni膜退火和Cl₂反应的结构化石墨烯制备方法

摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：(1)在Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为1200℃-1300℃下生长3C-SiC薄膜；(3)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并刻出图形窗口；(4)将开窗后裸露的3C-SiC在700-1100℃下与Cl2反应，生成碳膜；(5)将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口之外的SiO2；(6)在另外一片Si样片上电子束沉积一层Ni膜；(7)将去除

专利类型：发明专利

专利号：CN201210162385.2

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;张克基;张凤祁;张玉明;雷天民;邓鹏飞

主权项：一种基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法，包括以下步骤：（1）对4?12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；（2）将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10?7mbar级别；（3）在H2保护的情况下，使反应室逐步升温至碳化温度900℃?1200℃，通入流量为30sccm的C3H8，对衬底进行碳化5?10min，生长一层碳化层；（4）对反应室升温至生长温度1200℃?1300℃，通入C3H8和SiH4，进行3C?SiC薄膜异质外延生长，生长时间为30?60min，然后在H2

专利地区：陕西