一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法专利登记公告

专利名称：一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法

摘要：一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，通过溶液法工艺对所述薄膜晶体管进行封装，其在常规的金属氧化物半导体薄膜晶体管制备工艺工序之后，采用旋涂、喷涂、滴涂、丝网印刷或提拉法在所述薄膜晶体管的金属氧化物有源层、源电极和漏电极上制备器件保护层，成膜后进行退火。本发明不会对金属氧化物有源层产生破坏，在提高器件稳定性的同时不会损坏器件的电学性能，同时节约了封装成本，适用于在柔性衬底上制备的金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210162611.7

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：郭小军;徐小丽;冯林润;唐伟

主权项：一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，其特征在于：所述封装方法包括如下步骤：第一步，采用喷墨印刷、丝网印刷、光刻或者使用具有一定图案的掩膜进行热蒸镀的方法在绝缘衬底(11)的上表面上制备栅电极(12)；第二步，采用旋涂、刮涂、热生长或溅射方法在绝缘衬底(11)和栅电极(12)上制备栅极绝缘层(13)；第三步，采用旋涂、喷涂、喷墨打印、溅射或外延生长法在栅极绝缘层(13)上制备金属氧化物有源层(14)，成膜后进行退火；第四步，采用溅射、光刻、喷墨印刷、丝网印刷或者使用具有一定图案的掩膜进行热蒸镀的方

专利地区：上海