提高紫外发光二极管出光效率的方法专利登记公告

专利名称：提高紫外发光二极管出光效率的方法

摘要：一种提高紫外发光二极管出光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：一紫外发光二极管外延片；步骤2：在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层；步骤3：将氮化物层的表面粗化，完成制备，该方法简单方便易行，与传统LED工艺相兼容。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210162627.8

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：董鹏;王军喜;闫建昌;张逸韵;孙莉莉;曾建平;李晋闽

主权项：一种提高紫外发光二极管出光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：一紫外发光二极管外延片；步骤2：在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层；步骤3：将氮化物层的表面粗化，完成制备。

专利地区：北京