一种钨基三氧化钨纳米薄膜及其制备方法和应用专利登记公告

专利名称：一种钨基三氧化钨纳米薄膜及其制备方法和应用

摘要：本发明公开了一种钨基三氧化钨纳米薄膜材料及其制备方法和应用。所述纳米薄膜材料在金属钨片的基底上形成有定向生长、高度有序的三氧化钨纳米薄膜，其制备方法是，首先将钨片进行氧化处理以形成细小的WO3晶种，然后采用水热反应，通过聚乙二醇晶体生长导向剂及晶体生长材料钨酸钠的作用在金属钨基表面定向生长WO3晶体，从而形成高度有序、与基底结合牢固的钨基三氧化钨纳米薄膜材料。本发明具有比表面积大、光电催化性能、电子传输性能和传感性能优异、结构稳定和使用寿命长的优点，可广泛应用于光催化降解有机物、光电催化降解有机物和分解水

专利类型：发明专利

专利号：CN201210162777.9

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：周保学;陈全鹏;李金花;刘强;李健勇

主权项：一种钨基三氧化钨纳米薄膜材料，其特征在于，在金属钨片的基底上形成有定向生长、高度有序的三氧化钨纳米薄膜。

专利地区：上海