低温漂移基准电压和基准电流产生电路专利登记公告

专利名称：低温漂移基准电压和基准电流产生电路

摘要：本发明涉及模拟集成电路领域。为提供一种低温漂移的基准电压和基准电流产生电路，本发明采取的技术方案是，低温漂移基准电压和基准电流产生电路，由正温度系数电流产生电路及负温度系数电流产生电路构成，正温度系数电流产生电路设置有三极管Q1、Q2、Q3、Q4，Q5，三极管Q1、Q2基极相连并连接到三极管Q1集电极，三极管Q1的发射极分别连接三极管Q3的基极、三极管Q4的集电极，三极管Q2的发射极分别连接三极管Q4的基极、三极管Q3的集电极，三极管Q3、Q4发射极经电阻R1相连，三极管Q4发射极接地，三极管Q1、Q2的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210163245.7

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：姚素英;付园园;徐江涛;高静;史再峰;聂凯明

主权项：一种低温漂移基准电压和基准电流产生电路，其特征是，由正温度系数电流产生电路及负温度系数电流产生电路构成，正温度系数电流产生电路设置有三极管Q1、Q2、Q3、Q4，三极管Q1、Q2基极相连并连接到三极管Q1集电极，三极管Q1的发射极分别连接三极管Q3的基极、三极管Q4的集电极，三极管Q2的发射极分别连接三极管Q4的基极、三极管Q3的集电极，三极管Q3、Q4发射极经电阻R1相连，三极管Q4发射极接地，三极管Q1、Q2的集电极分别为输入端、输出端；负温度系数电流产生电路结构为：三极管Q5的发射极经电阻R2接地，

专利地区：天津