一种多晶硅打压用单相干式变流变压器及其调压方式专利登记公告

专利名称：一种多晶硅打压用单相干式变流变压器及其调压方式

摘要：一种多晶硅打压用单相干式变流变压器，由铁芯、不少于2个的低压绕组输入单元、静电屏蔽层、不少于1个抽头的低压绕组以及不少于1个抽头的高压绕组构成；低压绕组设置了n个抽头共n+1档，每一档通过双向可控硅控制，通过调整低压档位来控制高压的输出电压；高压绕组设置了m个抽头共m+1档，通过调整低压档位使高压输出电压的档位变成（n+1）*（m+1）挡输出；闭合隔离开关通过控制每一路双向可控硅的通断；通过控制低压绕组输入单元每一支路的双向可控硅的导通角，可在（n+1）*（m+1）种输出电压的基础上对每一种输出电压进行细

专利类型：发明专利

专利号：CN201210163854.2

专利申请（专利权）人：天津天能变压器有限公司

专利发明（设计）人：赵忠云;刘培欣;刘利艳;韩辉;周芳;余晓斌;李涛;刘政

主权项：一种多晶硅打压用单相干式变流变压器，其特征在于它是由铁芯、不少于2个的低压绕组输入单元、静电屏蔽层、不少于1个抽头的低压绕组以及不少于1个抽头的高压绕组构成；其中，所述每一个低压绕组输入单元由隔离开关、熔断器和双向可控硅开关相互串联组成；所述不少于1个抽头的低压绕组的一端与1个低压绕组输入单元中的双向可控硅开关一端连接，其抽头分别与其它低压绕组输入单元中的双向可控硅开关一端连接；所述低压绕组的另一端连接变流变压器输出端子，且低压绕组输入单元中的隔离开关的输入端连接变流变压器输入端子以采集电压信号；所述高压

专利地区：天津