一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法专利登记公告

专利名称：一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法

摘要：一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法，涉及一种石墨烯薄膜的制备方法。为了解决现有化学气相沉积技术制备石墨烯存在反应温度高、成本高、产率低、耗时长、要求实验条件苛刻的问题，本发明的操作步骤如下：一、选择合适的碳源；二、处理催化基底表面；三、制备石墨烯薄膜；四、转移石墨烯至所需基底。本发明将固体碳源引入化学气相沉积法(CVD)技术制备石墨烯薄膜的过程中，以碳源为碳源，在铜基底上制备出单层均一的石墨烯薄膜。该方法改进了化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯技术，提高了制备的石墨烯薄膜的产率与质量。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210164314.6

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：胡平安;李俊杰;张荣福;王晓娜;李晓超;王立峰;张甲;文振忠

主权项：一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法，其特征在于所述方法是按以下步骤完成的：一、处理催化基底表面：①、将厚度为25~200μm的金属片剪裁成需要的大小，并将其放入装有冰醋酸的容器中；然后放在目标温度为30~60℃的热台下加热5~30min；②、将步骤①中的金属片从容器中取出，并用去离子水将冰醋酸洗净；③、将步骤②中的金属片放入烘箱中烘干，待用；二、制备石墨烯薄膜：①、将步骤一中所处理好的金属片与碳源分别放入真空管式炉的不同加热区段位置，中间放入石英棉隔绝温度；②、用真空泵将真空管式炉抽成低压，为0.00

专利地区：黑龙江