主被动复合阵列式光电探测装置专利登记公告

专利名称：主被动复合阵列式光电探测装置

摘要：本发明提供了一种主被动复合阵列式光电探测装置，包括主动探测单元和被动探测单元，所述主动探测单元用于探测主动探测光信号的时间量及光强度，所述被动探测单元用于被动探测光强度或主动照明下的光强度，所述主动探测单元与所述被动探测单元通过交错排列形成复合体制的探测器阵列。本发明通过将具有主动测距与测回波峰值强度的主动探测单元与测被动灰度的被动探测单元复合于同一传感器上，能够同时进行主动光电探测与被动光电探测，可实现在同一传感器上同时得到主动光电成像与被动光电成像，并两类成像数据中各分视场对同一视场规律分割，具有较大

专利类型：发明专利

专利号：CN201210164823.9

专利申请（专利权）人：中国科学院光电研究院

专利发明（设计）人：孟柘;宋子奇;张珂殊;李孟麟

主权项：一种主被动复合阵列式光电探测装置，包括主动探测单元和被动探测单元，所述主动探测单元用于探测主动探测光信号的时间量及光强度，所述被动探测单元用于被动探测光强度或主动照明下的光强度，其特征在于，所述主动探测单元与所述被动探测单元通过交错排列形成复合体制的探测器阵列。

专利地区：北京