多吸收层二维光掩模近场分布的计算方法专利登记公告

专利名称：多吸收层二维光掩模近场分布的计算方法

摘要：本发明涉及一种多吸收层二维光掩模近场分布的计算方法，可以快速计算任意平面波入射时的近场分布。步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化：步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵：步骤3、求解矩阵对角矩阵Kx、Ky及入射区矩阵YI、ZI：步骤4、求解每层光栅的特征矩阵；步骤5、利用增强透射矩阵法，求解第四层光栅中的常数矩阵；步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅；步骤7.求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210166471.0

专利申请（专利权）人：北京理工大学

专利发明（设计）人：李艳秋;杨亮

主权项：多吸收层二维光掩模近场分布的计算方法，其特征在于，具体步骤为：步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化：首先将掩模分解为六个区域，其中包含四个二维光栅层，然后构造对应的二维平面，最后将这四个二维平面进行离散化；第四层是电介质，其在x、y方向上周期均是前三层二维光栅对应周期的二倍，第四层光栅在x、y轴上呈现非移相区0°与移相区180°交替排列的特性，即交叉光栅；步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵：首先对四个光栅区的介电常数、介电常数倒数进行Fourier级数展开，然后求解四个光栅区的

专利地区：北京